Snapdragon 845 ขุมพลังระดับไฮเอนด์ เทคโนโลยีผลิต 7 นาโนเมตร จ่อใช้กับ Samsung Galaxy S9 รุ่นแรก!!

Snapdragon 845 ขุมพลังระดับไฮเอนด์ เทคโนโลยีผลิต 7 นาโนเมตร จ่อใช้กับ Samsung Galaxy S9 รุ่นแรก!!

สื่อข่าวต่างประเทศมีรายงานเผยออกมาว่าในขณะนี้ Qualcomm ได้เริ่มพัฒนา Snapdragon 845 ชิปขุมพลังรุ่นต่อไปเป็นที่เรียบร้อย โดยจะใช้เทคโนโลยีการผลิตระดับ 7 นาโนเมตร มีประสิทธิภาพการทำงานเพิ่มขึ้น 25-35% เมื่อเทียบกับ Snapdragon 835 เทคโนโลยีการผลิตระดับ 10 นาโนเมตร

และมีโอกาสสูงที่ Samsung จะเป็นผู้ผลิตชิปดังกล่าวต่อจาก Snapdragon 835 นอกจากนี้ Qualcomm จะเปิดตัวขุมพลัง Snapdragon 845 ในช่วงต้นปี 2018 และคาดด้วยว่า Samsung Galaxy S9 จะเป็นสมาร์ทโฟนรุ่นแรกที่จะมาพร้อมขุมพลังดังกล่าว พร้อมกับจะเผยโฉมในงาน Mobile World Congress 2018

ทั้งนี้ Qualcomm มีแผนเปิดตัวชิปประมวลผล Snapdragon 660 มาพร้อมหน่วยประมวลผล Cortex-A73 2.3GHz แบบ Quad Core + Cortex-A53 1.9GHz แบบ Quad Core หน่วยประมวลภาพกราฟิก Adreno 512 โมเด็ม X10 LTE สนับสนุนการใช้งานร่วมกับ RAM LPDDR4X 1866 MHz และหน่วยความจำแบบ UFS 2.1 และรองรับ Quick Charge 4.0

ชมคลิป

ขอขอบคุณข้อมูลและรูปภาพ www.phonearena.com, www.androidheadlines.com